一、 B5819WS 关键特性回顾

首先,明确器件特性是设计的基础:

  • 型号: B5819WS (常用丝印为“W2”)
  • 类型: 肖特基势垒二极管
  • 封装: SOD-123(小型贴片封装,适合自动化生产)
  • 极性: 阴极由封装上的色带标识
  • 关键电气参数:
    • 反向重复峰值电压 Vrrm: 40V
    • 平均正向整流电流 Io: 1A
    • 正向电压 Vf: 典型值约0.45V @ 1A(远低于普通硅二极管0.7-1.1V)
    • 反向恢复时间 trr: 极短(可忽略,通常<10ns)

核心优势总结: 低压降、快速度、小体积。这决定了它的主要应用方向。


二、 主要应用领域与电路设计方案

基于以上特性,B5819WS非常适合以下领域:

领域1:电源电路中的极性保护和续流二极管

这是最经典的应用。

  1. 设计场景: DC电源输入接口、电池供电设备。
  2. 目的: 防止因电源反接而损坏后续电路。
  3. 电路方案:
    • 方案A(串联保护): 将B5819WS串联在电源正极输入路径上。
      • 优点: 一旦反接,二极管反偏,完全阻断电流,保护性最好。
      • 缺点: 二极管上有正向压降(约0.45V@1A),会导致一定的功率损耗和电压跌落。对于低压、大电流系统(如3.3V/2A),此损耗可能不可接受。
      • 计算: 功耗 Pd = Vf * If。如果工作电流为1A,则功耗约0.45W,需注意PCB散热。
    • 方案B(并联保护/钳位): 将B5819WS并联在电源输入端,阴极接正,阳极接地。
      • 优点: 正常接法时二极管截止,无压降损耗。
      • 缺点: 反接时,二极管正偏,形成短路回路,会瞬间产生极大的冲击电流,必须配合保险丝(Fuse)或自恢复保险(PPTC) 使用。利用保险熔断或PPTC高阻来切断电路。
      • 设计要点: 保险丝的额定电流和熔断速度(快断型)需仔细选择,确保反接时先于二极管或其他元件损坏前熔断。
    推荐电路图(并联保护方案):textVin+ o---[Fuse]---+---o Vout+ | [B5819WS] (阴极接Fuse侧,阳极接地) | GND o------------+---o GND

领域2:开关电源(DC-DC转换器)中的续流二极管

在降压型(Buck)、升压型(Boost)等开关电源中,这是关键应用。

  1. 设计场景: Buck转换器的续流路径。
  2. 目的: 当开关管(MOSFET)关闭时,为电感电流提供一条低损耗的续流通路,维持输出电流连续,并抑制电感产生的反向尖峰电压。
  3. 电路方案:
    • 将B5819WS的阳极连接在开关节点(电感与开关管连接点),阴极连接至输入或输出电源轨(具体取决于拓扑)。
    • Buck电路举例:textVIN ---[开关管]---o SW (开关节点) ---[电感]--- VOUT | | [B5819WS] [负载电容] | | GND GND
      • 阴极接SW,阳极接GND。在开关管关断时,电感电流通过二极管续流。
    • 设计要点:
      • 电压应力: 二极管承受的反向电压约等于输入电压VIN,必须确保VIN < Vrrm(40V),并留有余量(建议≤32V)。
      • 电流能力: 续流二极管的平均电流约为 (1 - D) * Iout,其中D为占空比。需确保Io(1A)满足要求。
      • 速度与效率: 肖特基的极快恢复特性和低压降,能显著降低开关损耗和导通损耗,提升整机效率。这是B5819WS相比普通二极管的巨大优势。

领域3:高频信号整流与检波

  1. 设计场景: 射频(RF)小信号检波、高频AC-DC转换(如能量收集、非接触式IC卡)。
  2. 目的: 利用其快速响应特性,检测或整流高频(可达数MHz甚至更高)交流信号。
  3. 电路方案:
    • 半波整流检波:textRF_IN o---[B5819WS]---+---o DC_OUT | [负载电阻 RL] | [旁路电容 C] | GND
      • 高频信号正半周时二极管导通,对电容C充电;负半周时截止,电容通过RL放电。在RL两端得到与RF信号包络相关的直流电压。
    • 设计要点:
      • 此为小信号应用,工作电流远小于1A。
      • 关键参数是结电容(Cj): B5819WS的结电容通常在几十pF量级,会影响高频性能。频率越高,对结电容要求越苛刻。
      • 需根据信号频率和阻抗进行阻抗匹配设计。

领域4:逻辑电平钳位和ESD保护

  1. 设计场景: 微控制器I/O口、数据线(如UART、I2C)。
  2. 目的:
    • 钳位: 防止电压过高(如超过VCC+0.5V)或过低(如低于GND-0.5V)损坏CMOS输入门限。
    • ESD保护: 吸收瞬态静电脉冲。
  3. 电路方案:
    • 双向钳位(到电源轨):textVCC ----|>|----o I/O_Pin [B5819WS1] (阴极接VCC) | o I/O_Pin | [B5819WS2] (阳极接GND) |<|----o GND
      • WS1用于将正脉冲钳位到VCC + Vf(≈VCC+0.3V)。
      • WS2用于将负脉冲钳位到GND - Vf(≈GND-0.3V)。
    • 单向钳位(仅防负压): 在某些与负压逻辑接口(如RS-232)相连时,仅在引脚对地接一个B5819WS(阳极接引脚,阴极接GND),防止负压冲击。
    • 设计要点:
      • 此应用为瞬态、低占空比,不关心平均电流,更关注响应速度瞬态功率承受能力肖特基二极管非常合适。
      • 可与串联电阻(如22Ω-100Ω)配合使用,限制瞬间电流。

三、 设计注意事项与选型替代

  1. 电压裕量: 40V的Vrrm适用于常见的12V、24V系统。对于车载环境(负载突降可能产生60V+尖峰)或工业环境,需选择更高电压(如SS54, 100V)或搭配TVS管。
  2. 电流与散热: 在持续接近1A的应用中,SOD-123封装的散热能力有限。需通过大面积铺铜(散热焊盘) 帮助散热。如果电流更大或温升过高,应选择体积更大的封装(如DO-214AC/SMA)或降额使用。
  3. 效率考量: 在超低压差(如从5V转3.3V的Buck)或对效率要求极苛刻的场合,可考虑使用 同步整流(用MOSFET替代肖特基) 以消除Vf损耗。
  4. 漏电流: 肖特基二极管的反向漏电流(Ir)比普通硅二极管大,且随温度升高急剧增大。在高温、高反压的精密电路中需评估其影响。
  5. 常见替代型号:
    • 同等级: SS14 (1A/40V, SMA封装), 1N5819 (DO-41直插封装)。
    • 更高电流: SS24/B5829WS (2A/40V)。
    • 更高电压: SS16/B5810WS (1A/100V)。

电性参数

封装尺寸

数据手册

供货情况
B5819WS系列产品采用SOD-523封装,每卷3,000个,如需了解产品详情,请访问https://semiwell.com/schottky-diode/b5819ws/; 现提供样品,您可向全球各地的 Semiwell 的授权经销商索取样品。

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