MOV 7
14D820K压敏电阻应用领域方案设计及数据手册
14D：芯片直径为14mm，代表其能承受较大的瞬态能量（约110J-150J）。
820：标称电压为82V（有效值），其直流击穿电压约为103V -
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14D680K压敏电阻应用领域方案设计及数据手册
型号解读： 14D680K = 芯片直径14mm，D代表圆形，标称电压680V，K代表误差±10%。
关键参数：
压敏电压（V1mA）： 612V
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20D821KJ压敏电阻电路设计应用领域及数据手册
一、型号解析：20D821KJ
20：表示芯片的直径为20mm。直径越大，通常能吸收的瞬时能量（焦耳）越大，耐浪涌电流能力越强。
D：代表圆形片
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07D220K压敏应用领域电路设计数据手册
07D：芯片直径约为7mm，表示其通流容量和能承受的浪涌能量等级。
220：压敏电压为22×10¹ = 220V（AC）。注意，这是指在1mA直流电流
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半导体放电管与陶瓷气体放电管及TVS二极管等保护器件的对比
过电压保护电路中，常采用的四种过电压保护技术产品为：TSS)、GDT)（压敏电阻（瞬态抑制二极管(半导体放电管（半导体放电管（半导体放电管（半导体放电管（TS
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POE接口的浪涌和静电保护方案
PoE（Power over Ethernet）接口的浪涌保护对于保护网络设备（如监控摄像头、无线接入点等）免受电涌和过电压的破坏至关重要。PoE接口浪涌保护
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POE接口的浪涌保护和ESD静电保护方案
过电压保护电路中，常采用的四种过电压保护技术产品为：半导体放电管（TSS)（TSS)、陶瓷气体放电管（GDT)（GDT、金属氧化物压敏电阻（MOV）、瞬态抑制
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