产品特征详解
BC857B 是一款 PNP 型 通用小信号双极晶体管，采用 SOT-23 表面贴装封装。它以其高电流增益、低噪声和良好的稳定性而闻名，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制中的放大、开关和逻辑转换电路。
1. 关键特性参数
以下是 BC857B 的绝对最大额定值和主要电气参数：
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极-基极电压 | V<sub>CB</sub> | -50 | V | 负号表示PNP，电压方向与NPN相反 |
| 集电极-发射极电压 | V<sub>CE</sub> | -45 | V | |
| 发射极-基极电压 | V<sub>EB</sub> | -5 | V | |
| 连续集电极电流 | I<sub>C</sub> | -100 | mA | |
| 总功耗 (T<sub>a</sub>=25°C) | P<sub>tot</sub> | 250 | mW | |
| 结温 | T<sub>j</sub> | 150 | °C | |
| 存储温度 | T<sub>stg</sub> | -55 to +150 | °C |
直流电流增益
| 条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| I<sub>C</sub> = -2mA, V<sub>CE</sub> = -5V | h<sub>FE</sub> | 200 | - | 450 | - |
| I<sub>C</sub> = -10mA, V<sub>CE</sub> = -1V | 180 | - | - | - |
其他重要参数
- 集电极-发射极饱和电压: V<sub>CE(sat)</sub> ≈ -0.25V @ I<sub>C</sub> = -50mA, I<sub>B</sub> = -5mA
- 过渡频率: f<sub>T</sub> ≈ 100 MHz，表明它适用于中高频放大电路。
- 噪声系数: NF ≈ 1dB，非常低，适合用于前置放大级，对微弱信号进行放大。
2. 产品特征总结
- 类型: PNP 双极晶体管。这是设计的根本，决定了偏置电压和电流方向。
- 高电流增益 (h<sub>FE</sub>): B 档的增益在 200-450 之间，意味着用很小的基极电流就能控制较大的集电极电流，驱动效率高。
- 低饱和压降: 在开关应用中，导通时的功耗小，效率高。
- 低噪声: 非常适合作为音频前置放大器或射频小信号放大器。
- SOT-23 封装: 体积小，节省PCB空间，适用于高密度电路板。
- 互补对管: 其完美的互补 NPN 管是 BC847B。在推挽输出、电平转换等电路中常配对使用。
电路设计指南
设计 BC857B 电路时，核心是理解 PNP 管与 NPN 管的区别：PNP 管在基极施加比发射极更低的电压（负电压）时导通。
1. 基本放大电路（共发射极放大器）
这是一个最经典的模拟放大电路。
设计要点：
- 偏置电路: 由 R1 和 R2 组成分压网络，为基极提供一个稳定的偏置电压。对于 PNP 管，这个电压要低于电源电压 Vcc。
- 发射极电阻 R4: 引入直流负反馈，稳定静态工作点，使其不受温度或晶体管参数离散性的影响。
- 集电极电阻 R3: 将放大的电流信号转换为电压信号输出。
- 输入/输出电容 C1, C2: 隔直电容，用于耦合交流信号，同时隔离电路前后的直流偏置。
- 发射极旁路电容 C3: 为交流信号提供低阻抗通路，避免 R4 对交流信号产生负反馈，从而提高电路的电压增益。
静态工作点计算：
需要合理选择 R1, R2, R3, R4，使晶体管工作在放大区。通常 V<sub>E</sub> ≈ 1/2 Vcc，通过 I<sub>C</sub> = (Vcc - V<sub>C</sub>) / R3 来设定集电极电流。
2. 开关电路
BC857B 作为电子开关非常常见，用于控制负载的通断，例如控制LED、继电器或小电机。
设计要点：
- 工作原理:
- 导通: 当控制信号为低电平（例如 0V，GND）时，电流从 Vcc 通过 R<sub>load</sub> -> 晶体管 -> R<sub>b</sub> -> 地，形成回路。基极获得足够电流 I<sub>B</sub>，晶体管饱和导通，负载得电。
- 截止: 当控制信号为高电平（例如 3.3V 或 5V）时，基极和发射极电位近似相等，没有电流流入基极，晶体管截止，负载断电。
- 基极电阻 R<sub>b</sub> 的计算:
这是关键。要确保晶体管能进入饱和状态。公式为：Rb≤(Vcontrol_low−VEB)×hFEIloadRb≤Iload(Vcontrol_low−VEB)×hFE其中：- V<sub>control_low</sub> 是控制信号的低电平电压。
- V<sub>EB</sub> 约为 0.7V。
- h<sub>FE</sub> 取最小值（对于 BC857B 是 200）。
- I<sub>load</sub> 是负载电流。
同时，R<sub>b</sub> 也不能太小，否则会从控制器吸取过大电流。
3. 电平转换电路
利用 PNP 管的特性，可以轻松实现从高电平到低电平的转换，在 3.3V 和 5V 系统混合时非常有用。
工作原理：
- 当左侧 GPIO 输出 3.3V（高电平）时，BC857B 的基极和发射极电位差很小，晶体管截止，输出端被 R2 上拉到 5V。
- 当左侧 GPIO 输出 0V（低电平）时，BC857B 导通，电流从 5V 通过晶体管流向输出端，输出电压被拉低到一个较低的饱和电压（约 0.25V），从而实现了一个低电平输出。
- 注意: 这个电路是反相的。输入高，输出高；输入低，输出低。
与 MOSFET 的关键区别
为了彻底澄清，这里列出 BJT 与 MOSFET 的核心区别：
| 特性 | BC857B (BJT) | 小信号 MOSFET (如 2N7002) |
|---|---|---|
| 类型 | 电流控制器件 | 电压控制器件 |
| 控制端 | 基极电流 I<sub>B</sub> | 栅极-源极电压 V<sub>GS</sub> |
| 输入阻抗 | 低 | 极高（理论上无穷大） |
| 导通损耗 | 有饱和压降 V<sub>CE(sat)</sub> | 有导通电阻 R<sub>DS(on)</sub> |
| 驱动电路 | 需要计算基极电阻，提供电流 | 几乎不需要驱动电流，但需要考虑栅极电容的充放电 |
| 速度 | 受限于载流子扩散 | 通常更快，受限于栅极电容 |
| 静电放电 | 相对不敏感 | 非常敏感，栅极易被击穿 |
总结
- BC857B 是一款高性能的 PNP 型小信号双极晶体管。
- 它的主要优势在于高增益、低噪声和低饱和压降。
- 在电路设计中，它主要用于小信号放大、低速开关和电平转换。
- 设计时务必注意其 PNP 特性，确保提供正确的偏置电压和电流方向。
- 在进行新的电路设计时，如果需要 MOSFET，应选择正确的型号，如 PMOS 或 NMOS。
电性参数
封装尺寸
数据手册
供货情况
BC857B系列产品采用SOT-23封装，每卷3,000个，如需了解产品详情，请访问https://semiwell.com/small-signal-transis/bc857b/； 现提供样品，您可向全球各地的 Semiwell 的授权经销商索取样品。
关于Semiwell
Semiwell 拥有过电压保护器件系列产品的完善产品阵容。公司凭借其在半导体领域的技术和终端产品的应用背景，为电子、汽车和工业市场上的客户提供服务。如果您有技术问题，请按以下方式联系技术支持团队：邮箱：sales06@semiwell.com； 电话：86-21-5484-1002； 如需了解更多信息，请访问 Semiwell 官方网站：https://semiwell.com
评论 (0)