AO3401C-SW是一款P沟道MOSFET(30V, -4A, RDS(on)=50mΩ@VGS=-10V),常用于低侧开关、电源管理、负载开关等场景。以下是其典型应用领域及电路设计要点:


1. 低侧开关电路

应用场景:控制接地负载(如LED、电机、继电器等)。
电路设计

  • 连接方式
    • 漏极(D)接负载,源极(S)接地。
    • 负载另一端接正电源(如12V)。
    • 栅极(G)通过电阻(如10kΩ)接MCU GPIO。
  • 关键点
    • GPIO输出低电平(0V)时MOSFET导通,高电平(如3.3V/5V)时关断。
    • 需快速开关时可加图腾柱驱动或栅极下拉电阻(如100kΩ)防误触发。

示例电路

VCC → [Load] → D(AO3401C) → S(GND)  
GPIO → [10kΩ] → G  

2. 电源切换(负载开关)

应用场景:电池供电系统、多电源切换。
电路设计

  • 连接方式
    • 源极(S)接输入电源(如5V),漏极(D)接负载。
    • 栅极(G)通过逻辑电平控制(如MCU)。
  • 保护设计
    • 输入/输出加电容(如10μF)滤波。
    • 防反接二极管(如1N5819)保护感性负载。

示例电路

VBAT → S → D → [Load]  
GPIO → [10kΩ] → G  

3. 电机/继电器驱动

应用场景:小功率直流电机、继电器控制。
设计要点

  • 栅极需快速开关(PWM应用时,建议用MOSFET驱动器)。
  • 继电器线圈并联续流二极管(如1N4007)防反峰电压。

4. 反向极性保护

应用场景:防止电源反接损坏电路。
电路设计

  • 源极(S)接电源正极,漏极(D)接系统输入。
  • 正常供电时MOSFET导通;反接时体二极管截止,系统断电。

示例电路

BAT+ → S → D → [System]  
BAT- → GND  

关键设计注意事项

  1. 栅极驱动
    • VGS需≤±12V(绝对值)。
    • 逻辑电平驱动时(如3.3V MCU),确保|VGS|>阈值电压(VGS(th)≈-1V)。
  2. 功耗计算
    • 导通损耗:P = I² × RDS(on)(如I=2A时,P=0.2W)。
  3. 布局优化
    • 缩短栅极走线,减少寄生电感。
    • 大电流路径加宽铜箔。

选型替代

若需更低RDS(on)或更高电压,可替换为AO3400(-30V/-5.8A)或SI2301(-20V/-2.3A)。

如需具体电路仿真或参数计算,可提供更多需求细节进一步优化设计。

电性参数

封装尺寸

数据手册

供货情况
AO3401C-SW系列产品采用SOT-23封装,每卷3,000个,如需了解产品详情,请访问https://semiwell.com/small-signal-mosfets/ao3401c-sw/; 现提供样品,您可向全球各地的 Semiwell 的授权经销商索取样品。

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