B5819W肖特基二极管产品特性电路设计及数据手册

1. 产品概述

B5819W是一款非常常见和通用的表面贴装肖特基势垒二极管。它通常采用SOD-123封装，体积小，适合高密度电路板设计。

• 型号解读： B5819W 中的 "5819" 通常代表其规格：5A 的平均正向整流电流和40V 的反向重复峰值电压。但请注意，B5819W的实际规格通常是 1A 和 40V。这是一个常见的混淆点，具体请以数据手册为准。本文将以常见的1A/40V规格进行说明。
• 核心类型： 肖特基二极管。利用金属与半导体接触形成的势垒，而非PN结。

2. 产品特性（优点与缺点）

优点：

1. 低正向压降：
   • 这是肖特基二极管最突出的优点。B5819W的正向压降通常在 0.45V 左右（在 IF=1A 时），而普通硅PN结二极管（如1N4007）约为0.7V-1.1V。
   • 好处： 在相同电流下，功耗更低（P = Vf × I），发热更小，效率更高。特别适用于低电压、大电流的电源电路。
2. 高速开关：
   • 肖特基二极管是多数载流子器件，没有少数载流子的存储效应，因此反向恢复时间极短（通常为几纳秒量级）。
   • 好处： 非常适合高频开关电路，如开关电源、DC-DC转换器、续流电路等。可以显著减少开关损耗和由二极管反向恢复引起的电压尖峰和振荡。
3. 小封装：
   • SOD-123封装节省PCB空间，适合现代紧凑型电子设备。

缺点：

1. 反向击穿电压较低：
   • B5819W的VRRM为40V。这是肖特基二极管的普遍弱点，通常不超过200V。限制了其在高压场合的应用。
   • 设计注意： 必须确保电路中的最大反向电压远低于此值，并留有余量。
2. 反向漏电流较大：
   • 相比PN结二极管，肖特基二极管在高温下的反向漏电流要大得多。温度越高，漏电流越大。
   • 设计注意： 在高温环境或对功耗极其敏感的应用中（如电池供电设备），需要评估其漏电流带来的影响。

3. 关键电气参数（以典型数据手册为例）

• 最大重复峰值反向电压： 40V
• 平均正向整流电流： 1A
• 正向压降： ~0.45V @ IF=1A
• 反向漏电流： ~100µA @ VR=40V, TA=25°C （注意，在125°C时可能会达到几十mA）
• 典型结电容： ~150pF @ VR=1V, f=1MHz

4. 电路设计应用

B5819W广泛应用于需要高效率和高速度的场合。

1. 电源整流

• 低压DC-DC转换器： 在同步整流技术普及之前，肖特基二极管是Buck、Boost等开关电源输出整流的不二之选。其低Vf能显著提升整个电源的效率。
  • 电路位置： 通常作为续流二极管，与功率电感和开关管（MOSFET）配合。
  • 设计要点： 选择的反向电压需高于开关节点可能出现的最大振铃电压。

2. 反接保护

• 防止因电源正负极接反而损坏电路。
• 电路接法： 二极管与电源正极串联。
• 优点： 电路简单可靠，成本低。
• 缺点： 由于存在正向压降（0.45V），会在二极管上产生功耗并导致一定的电压损失。对于1A的电流，会产生0.45W的热量，需要注意散热。

text

[电源+] --->|阳极--阴极]---> [被保护电路+]
                 |
[电源-] ------------------> [被保护电路-]

3. 钳位电路

• 在继电器、电机、电磁阀等感性负载驱动电路中，用于吸收关断时产生的反向感应电动势（电压尖峰），保护驱动开关管（如MOSFET或三极管）。
• 电路接法： 二极管反向并联在线圈两端。
• 工作原理： 当驱动管关闭时，电感电流会通过二极管形成回路，将开关管漏极/集电极的电压钳位在（Vcc + Vf）的水平，从而保护开关管。

text

[Vcc]-----[线圈]-----[开关管]-----[GND]
         |       |
       阳极|       |阴极
         |-------|

4. 逻辑门隔离/OR-ing电路

• 用于实现两个或多个电源的“或”逻辑，当一个电源失效时，另一个可以无缝接管，常用于冗余电源系统。
• 也用于防止电流反向流入电压较低的电源。

5. 设计注意事项与选型替代

1. 电压裕量： 工作电路中的峰值反向电压不应超过VRRM的70%-80%。对于40V的B5819W，建议工作电压在28V以下。
2. 电流与散热：
   • 1A是平均电流，需要注意瞬态峰值电流是否在数据手册允许的范围内。
   • 如果工作电流接近1A，必须考虑PCB的散热设计。SOD-123封装的散热能力有限，可能需要通过大面积铜皮来帮助散热。
3. 温度影响：
   • 在高温环境下（>85°C），必须重点关注反向漏电流的急剧增加，它可能导致电路静态功耗超标或功能异常。
4. 替代型号：
   • 如果B5819W不可用，可以选择具有相似或更好规格的其他肖特基二极管。
   • 直接替代： SS14, 1N5819（直插封装）
   • 升级选择： 如果需要更低的Vf，可以选择使用更好半导体材料的型号，如SK12, SK13等，或者选择电流/电压规格更高的型号，如SS24（2A/40V）、SS34（3A/40V）等。

总结

B5819W是一款性能均衡、成本低廉的通用型肖特基二极管。它的核心价值在于其低正向压降和高速开关特性。在电路设计中，只要确保其反向电压和工作温度在安全范围内，它就能在电源转换、保护电路中发挥出卓越的性能，显著提升系统的效率和可靠性。

电性参数

封装尺寸

数据手册

供货情况
B5819W系列产品采用SOD-123封装，每卷3,000个，如需了解产品详情，请访问https://semiwell.com/schottky-diode/b5819w/； 现提供样品，您可向全球各地的 Semiwell 的授权经销商索取样品。

关于Semiwell
Semiwell 拥有过电压保护器件系列产品的完善产品阵容。公司凭借其在半导体领域的技术和终端产品的应用背景，为电子、汽车和工业市场上的客户提供服务。如果您有技术问题，请按以下方式联系技术支持团队：邮箱：sales06@semiwell.com； 电话：86-21-5484-1002； 如需了解更多信息，请访问 Semiwell 官方网站：https://semiwell.com