14D820K压敏电阻应用领域方案设计及数据手册
14D：芯片直径为14mm，代表其能承受较大的瞬态能量（约110J-150J）。
820：标称电压为82V（有效值），其直流击穿电压约为103V -
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14D680K压敏电阻应用领域方案设计及数据手册
型号解读： 14D680K = 芯片直径14mm，D代表圆形，标称电压680V，K代表误差±10%。
关键参数：
压敏电压（V1mA）： 612V
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1KSMB18CA瞬态抑制二极管电性参数及数据手册
电性参数表
参数符号值条件/说明封装-SMB (DO-214AA)表面贴装峰值脉冲功率Pppm600W10/1000μs 波形击穿电压（最小）
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SS24D肖特基二极管应用领域电路设计方案及数据手册
SS24D 是一款非常通用和常见的肖特基二极管，其关键参数为：
型号： SS24D
类型： 肖特基势垒二极管
平均整流电流 IFIF：
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SMBJ11A瞬态抑制二极管应用领域电路设计方案及数据手册
SMBJ11A 是一种非常常见的单向 TVS 二极管，其关键参数如下：
击穿电压 Vbr： 12.2V - 13.5V（典型值 12.8V）
钳
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P3100SB半导体放电管电路设计应用领域及数据手册
一、P3100SB 器件关键特性回顾
在讨论应用前，先明确其核心参数（基于典型数据手册）：
器件类型： 电压钳位型、负阻特性、双向可控硅结构的浪
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14D221K压敏电阻应用领域电路设计及数据手册
一、 14D221K 核心特性与定位
器件类型： 氧化锌压敏电阻。
其电阻值随施加电压的变化呈非线性变化。在额定电压以下呈高阻态（漏电流极小），当电
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20D821KJ压敏电阻电路设计应用领域及数据手册
一、型号解析：20D821KJ
20：表示芯片的直径为20mm。直径越大，通常能吸收的瞬时能量（焦耳）越大，耐浪涌电流能力越强。
D：代表圆形片
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SMAJ7.0CA瞬态抑制二极管应用领域电路设计方案及数据手册
一、核心设计原则
就近原则：TVS必须尽可能靠近被保护端口或干扰源入口
并联安装：与被保护线路并联连接
低阻抗接地：接地路径必须短而宽
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SMBJ36CA瞬态抑制二极管应用领域电路设计及数据手册
1. 器件基本信息
型号： SMBJ36CA
封装： SMB（DO-214AA），一种表面贴装封装，尺寸适中，功率处理能力较好。
类型：
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